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需要對銅箔表面及基材樹脂表面作特殊處理，如有開發(fā)出平滑樹脂面上化學(xué)鍍銅高結(jié)合力銅箔；如有“分子接合技術(shù)”，是對樹脂基材表面化學(xué)處理形成一種官能基團能與銅層密切結(jié)合。積層絕緣介質(zhì)片的需求HDI板技術(shù)特點是積成法工藝(BuildingUpProcess)，常用的涂樹脂銅箔(RCC)，

大容量FLASH存儲器、SRAM、A/D、I/O、兩個串口、看門狗、上電復(fù)位電路等等。單片機系統(tǒng)硬件抗干擾常用方法實踐：影響單片機系統(tǒng)可靠安全運行的主要因素主要

特別是非線性負(fù)載的干擾，DMX512RDM

L/S為20μm。PCB線路圖形形成，傳統(tǒng)的是銅箔基板上光致成像后化學(xué)蝕刻工藝(減成法)，減成法制作精細(xì)線路的限度最小約在30μm，并且需要用薄銅箔(9~12μm)基板。由于薄銅箔CCL價格高，及薄銅箔層壓缺陷多，較多工廠產(chǎn)生18μm銅箔然后生產(chǎn)中采取蝕刻減薄銅層。這種做法工序多、厚度控制難、成本高

其抑制方法主要有兩種一是從非線性負(fù)載本身入手，為了減少干擾，應(yīng)保證炭刷本身的質(zhì)量和換向器的光潔度，同時還要保護炭刷對換向器有適當(dāng)?shù)膲毫?，最后還要使機座的固定可靠，避免機械運轉(zhuǎn)時引起的運轉(zhuǎn)不穩(wěn)。2、防止傳導(dǎo)干擾為了防止控制板電路產(chǎn)生的傳導(dǎo)干擾，

6）數(shù)據(jù)線的寬度應(yīng)盡可能地寬，以減小阻抗。DMX512RDM

低電平復(fù)位信號加到CPU后，它內(nèi)部的控制器、寄存器、存儲器等電路開始復(fù)位;當(dāng)復(fù)位信號為高電平后，CPU復(fù)位結(jié)束，開始正常工作。
提示　部分小家電產(chǎn)品的低電平復(fù)位信號是從電阻和電容組成的RC積分電路獲得的，復(fù)位時間的長

數(shù)據(jù)線的寬度至少不小于0.3mm(12mil)，如果采用0.46～0.5mm(18mil～20mil)則更為理想。（7）由于電路板的一個過孔會帶來大約10pF的電容效應(yīng)，這對于高頻電路，將會引入太多的干擾，所以在布線的時候，應(yīng)盡可能